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天博手机端物理学院在室温高性能宽谱红外光电探测研究方面取得进展

发布时间:2021年07月18日 信息来源:物理学院

天博手机端物理学院在室温高性能宽谱红外光电探测研究方面取得进展

近日,物理学院材料物理研究所在室温高性能宽谱红外光电探测研究方面取得重要进展,相关结果以题为“Ultrabroadband and High-Detectivity Photodetector Based onWS2/Ge Heterojunction through Defect Engineering and Interface Passivation”的论文发表于国际知名期刊《ACS Nano》上。天博手机端为第一作者单位,物理学院吴翟副教授为论文第一作者,李新建教授、周口天博手机端揭建胜教授和香港理工天博手机端曾龙辉博士为共同通讯作者。

近年来,随着军事和民用领域对红外光电探测器的重大需求,因此研发室温高性能宽光谱响应的红外光电探测器显得尤为迫切。在该项研究中,研究人员创新性地通过缺陷工程成功将二维WS2薄膜的带隙降低至0.26eV,并通过引入界面钝化构建了WS2/AlOx/Ge混合维度范德华异质器件,成功实现了室温高性能宽光谱红外光电探测,响应范围覆盖从深紫外到中红外(200 nm-4.6μm),是目前已报道的二维WS2薄膜探测器中最宽的探测波长。此外,该探测器具有自驱动功能,工作时无需外界提供能源,在零偏压下其响应度高达634.5mA/W,比探测率高达4.3×1011Jones,响应速度为9.8/12.7微秒,其性能优于同类型的器件。得益于优异的红外探测性能,该器件展示了良好的中红外成像能力。这项工作为设计构建室温高性能宽光谱光电探测器提供了一种新的策略,并为其进一步应用奠定了基础。

该工作得到了国家自然科学基金-江苏联合基金、江苏省自然科学基金和天博手机端青年教师基础研究培育基金等项目的支持。

文章链接:http://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsnano.1c02007

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